羅姆提升150V GaN HEMT閘極耐壓 助降低基地台/資料中心電源功耗

2021 年 04 月 21 日

半導體製造商羅姆(ROHM)針對工控裝置和通訊裝置等電源電路,將150V GaN HEMT(以下稱為GaN元件)的閘極耐壓(閘極-源極額定電壓)提升至8V。

近年來在伺服器系統等設備中,由於IoT裝置的需求日益增長,功率轉換效率的提升和裝置小型化已經成為重要的課題之一。

一直以來,ROHM持續研發與SiC元件和其他具有優勢的矽元件,以及在中等耐壓範圍具出色高頻工作性能的GaN元件。本次ROHM就現有GaN元件長期存在的課題,研發出可以提高閘極-源極額定電壓的技術,為各類應用提供更廣泛的電源解決方案。

與矽元件相比,GaN元件具有更低的導通電阻值和更優異的高速開關性能,因有助降低開關電源功耗及裝置小型化,所以在基地台和資料中心等設備中被寄予厚望。然而GaN元件的閘極-源極額定電壓較低,在開關工作期間可能會發生超過額定值的過衝電壓,在產品可靠性方面一直存在很大的問題。

上述背景下,ROHM利用獨創結構成功地將閘極-源極額定電壓從6V提高到了8V,這將有助採用高效率GaN元件的電源電路設計提升範圍和可靠性。此外,更針對此技術研發出專用封裝,不僅可透過更低的寄生電感徹底發揮元件性能,還能使產品更易於安裝在電路板上,並且具有更出色的散熱性,讓現有矽元件的替換和安裝製程操作上更加輕鬆。

今後ROHM將加快GaN元件的研發速度,預計於2021年9月即可開始提供樣品。

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